黑碳化硅和綠碳化硅的區(qū)別
綠碳化硅晶體是目前碳化硅應(yīng)用的新技術(shù)產(chǎn)品,具有寬帶隙、高臨界擊穿電場(chǎng)、高熱導(dǎo)率、低介電常數(shù),高載流子飽和濃度等特點(diǎn),成為耐高溫?、大功率、耐高壓、抗輻照的半導(dǎo)體器件的優(yōu)選材料
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